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簡介 IGBT模塊(Insulated Gate Bipolar Transistor),現有的品牌有三菱智能IGBT模塊,富士智能的IGBT模塊,西門子智能IGBT模塊,GTR飽和壓下降,載流密度大,但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小,開關速度快,但導通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了上兩種器件的優點,驅動功率小而飽與壓降低。
展位**:0756-2183085
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